BD241C (2) datasheet pdf

1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. •Collector–Emitter Saturation Voltage — V CE = 1.2 Vdc (Max) @ I C = 3.0 Adc •Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD242B V CEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C •High Current Gain — Bandwidth Product f T = 3.0 MHz (Min) @ I C = 500 mAdc •Compact TO–220 AB Package ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD242B ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD241C BD242C ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CES ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 90 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 115 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V EB ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous Peak ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 3.0 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation @ T C = 25_C Derate above 25_C ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 40 0.32 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Watts W/_C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ T J , T stg ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ – 65 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Ambient ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θJA ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 62.5 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ _C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θJC ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 3.125 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ _C/W 40 30 20 10 0 020406080100120140160 Figure 1. Power Derating T C , CASE TEMPERATURE (°C) P D , POWER DISSIPATION (WATTS) Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BD241C/D  Motorola, Inc. 1998 BD241C BD242B BD242C 3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80, 100 VOLTS 40 WATTS *Motorola Preferred Device * * CASE 221A–09 TO–220AB NPN PNP

Specifications