BD677 (1) datasheet pdf

1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica- tions. •High DC Current Gain — h FE = 750 (Min) @ I C = 1.5 and 2.0 Adc •Monolithic Construction •BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 •BD 677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ BD675 BD675A ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD677 BD677A ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD679 BD679A ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ BD681 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 45 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 60 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CB ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 45 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 60 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V EB ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 4.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 0.1 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation @T C = 25_C Derate above 25_C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 40 0.32 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Watts W/_C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperating Range ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ T J , T stg ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ – 55 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ θ JC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 3.13 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C/W 50 40 10 5.0 0 1530456075105135150165 Figure 1. Power Temperature Derating T C , CASE TEMPERATURE (°C) P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) 12090 45 20 15 30 25 35 Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BD675/D  Motorola, Inc. 1995 BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD679A BD681 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 60, 80, 100 VOLTS 40 WATTS *Motorola Preferred Device CASE 77–08 TO–225AA TYPE * REV 7

Specifications