BD678 (1) datasheet pdf

1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica- tions. •High DC Current Gain — h FE = 750 (Min) @ I C = 1.5 and 2.0 Adc •Monolithic Construction •BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 •BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATING ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ BD676 BD676A ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD678 BD678A ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ BD680 BD680A ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD682 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 45 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 60 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CB ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 45 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 60 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V EB ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 4.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 0.1 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation @ T C = 25 _C Derate above 25 _C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 40 0.32 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Watts W/_C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperating Range ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ T J , T stg ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ – 55 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ θ JC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 3.13 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C/W 50 40 10 5.0 0 1530456075105135150165 Figure 1. Power Temperature Derating T C , CASE TEMPERATURE (°C) P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) 12090 45 20 15 30 25 35 MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BD676/D  Motorola, Inc. 1995 BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD680A BD682 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON 45, 60, 80, 100 VOLTS 40 WATTS CASE 77–08 TO–225AA TYPE REV 7

Specifications