Loading PDF...
Pages: 4
www.DataSheet4U.com © Semiconductor Components Industries, LLC, 2005 October, 2005 − Rev. 12 1Publication Order Number: BD675/D BD675, BD675A, BD677, BD677A, BD679, BD679A, BD681 BD681 is a Preferred Device Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon NPN Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features •High DC Current Gain: h FE = 750 (Min) @ I C = 1.5 and 2.0 Adc •Monolithic Construction •BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 •BD677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803 •Pb−Free Packages are Available* ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Value ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Voltage BD675, A BD677, A BD679, A BD681 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 45 60 80 100 ÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Base VoltageBD675, A BD677, A BD679, A BD681 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ V CBO ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 45 60 80 100 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter−Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V EBO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 4.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation @ T C = 25°C Derate above 25°C ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 40 0.32 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ W W/°C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ T J , T stg ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ – 55 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ °C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction−to−Case ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ q JC ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 3.13 ÎÎÎ ÎÎÎ °C/W Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. http://onsemi.com 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS NPN SILICON 60, 80, 100 VOLTS, 40 WATTS TO−225AA CASE 77 STYLE 1 MARKING DIAGRAMS YWW BD6xxG 3 2 1 Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 4 of this data sheet. ORDERING INFORMATION BD6xx = Device Code x = 75, 77, 79, 81 Y= Year WW= Work Week G= Pb−Free Package YWW B BD6xxAG