BD776 (1) datasheet pdf

1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general purpose amplifier and high–speed switching applications. •High DC Current Gain h FE = 1400 (Typ) @ I C = 2.0 Adc •Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 10 mAdc V CEO(sus) = 45 Vdc (Min) — BD776 V CEO(sus) = 60 Vdc (Min) — BD777, 778 V CEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BD780 •Reverse Voltage Protection Diode •Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter output Resistor ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD776 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ BD777 BD778 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD780 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ V CEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 45 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 60 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ V CB ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 45 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 60 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ V EB ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous Peak ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 4.0 6.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation T C = 25_C – Derate above 25_C ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 15 0.12 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Watts W/_C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ T J , T stg ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ – 65 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristics ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θJC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 8.34 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Ambient ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θJA ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 83.3 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C/W 16 12 0 204060100120140160 Figure 1. Power Derating T, TEMPERATURE (°C) P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) 80 4.0 8.0 1.6 1.2 0 0.4 0.8 P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) T A Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BD777/D  Motorola, Inc. 1995 BD777 BD776 BD778 BD780 DARLINGTON 4–AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 45, 60, 80 VOLTS 15 WATTS *Motorola Preferred Device * CASE 77–08 TO–225AA TYPE NPN PNP REV 7

Specifications