BD789 datasheet pdf

1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Complementary Plastic Silicon Power Transistors . . . designed for low power audio amplifier and low–current, high speed switching applications. •High Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BD789, BD790 V CEO(sus) = 100 Vdc (Min) — BD791, BD792 •High DC Current Gain @ I C = 200 mAdc h FE = 40–250 •Low Collector–Emitter Saturation Voltage — V CE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc •High Current Gain — Bandwidth Product — f T = 40 MHz (Min) @ I C = 100 mAdc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ *MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD789 BD790 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BD791 BD792 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ V CB ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ V EBO ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 6.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous — Peak ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 4.0 8.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Power Dissipation @ T C = 25_C Derate above 25_C ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 15 0.12 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Watts W/_C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ T J ,T stg ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ – 65 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θJC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 8.34 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C/W 16 12 0 204060100120140160 Figure 1. Power Derating T, TEMPERATURE (°C) 80 4.0 8.0 1.6 1.2 0 0.4 0.8 T A T C P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BD789/D  Motorola, Inc. 1995 BD789 BD791 BD790 BD792 *Motorola Preferred Device 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80, 100 VOLTS 15 WATTS * * CASE 77–08 TO–225AA TYPE NPN PNP REV 7

Specifications