BDX33B datasheet pdf

1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general purpose and low speed switching applications. •High DC Current Gain — h FE = 2500 (typ.) at I C = 4.0 •Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc V CEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B V CEO(sus) = 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C •Low Collector–Emitter Saturation Voltage V CE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at I C = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C •Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors •TO–220AB Compact Package ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BDX33B BDX34B ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ BDX33C BDX34C ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V CB ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 80 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ V EB ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous Peak ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 10 15 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 0.25 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Device Dissipation @ T C = 25_C Derate above 25_C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 70 0.56 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Watts W/_C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ T J , T stg ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ – 65 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θJC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 1.78 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ _C/W 80 60 40 20 0 020406080100120140160 Figure 1. Power Derating T C , CASE TEMPERATURE (°C) P D , POWER DISSIP ATION (W ATTS) Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BDX33B/D  Motorola, Inc. 1995 BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C DARLINGTON 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80 – 100 VOLTS 70 WATTS *Motorola Preferred Device CASE 221A–06 TO–220AB * * NPN PNP REV 7

Specifications