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1 ) Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm 2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 2 ) Tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t p = 300 s, Schaltverhältnis 2% 3 ) Tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t p = 300 s, Schaltverhältnis 2% 4 01.11.2003 BF 599High Frequency Transistors NPN Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage NPN Power dissipation – Verlustleistung250 mW Plastic caseSOT-23 Kunststoffgehäuse(TO-236) Weight approx. – Gewicht ca.0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 1 = B2 = E3 = C Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (T A = 25C)Grenzwerte (T A = 25C) BF 599 Collector-Emitter-voltageB openV CE0 25 V Collector-Base-voltageE openV CB0 40 V Emitter-Base-voltageC openV EB0 4 V Power dissipation – VerlustleistungP tot 250 mW 1 ) Collector current – Kollektorstrom (dc)I C 25 mA Base current – Basisstrom (dc)I CM 5 mA Junction temperature – SperrschichttemperaturT j 150C Storage temperature – LagerungstemperaturT S - 65...+ 150C Characteristics (T j = 25C)Kennwerte (T j = 25C) Min.Typ.Max. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom I E = 0, V CB = 20 VI CB0 ––100 nA I E = 0, V CB = 20 V, T j = 100CI CB0 ––10 A Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2 ) I C = 10 mA, I B = 1 mAV CEsat –150 mV– DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 3 ) V CE = 10 V, I C = 1 mAh FE 3870–