BD791 datasheet pdf

NPN Plastic Silicon Power Transistor . . . designed for low power audio amplifier and low–current, high speed switching applications. •High Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CEO(sus) = 100 Vdc (Min) •High DC Current Gain @ I C = 200 mAdc h FE = 40–250 •Low Collector–Emitter Saturation Voltage — V CE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc •High Current Gain — Bandwidth Product — f T = 40 MHz (Min) @ I C = 100 mAdc) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ *MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ V CEO ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ V CB ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 100 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ V EBO ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 6.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous — Peak ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ I C ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 4.0 8.0 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ I B ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Power Dissipation @ T C = 25
C Derate above 25
C ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ P D ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 15 0.12 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ Watts W/
C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ T J ,T stg ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ –65 to +150 ÎÎÎ ÎÎÎ
C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ R θ JC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 8.34 ÎÎÎ ÎÎÎ
C/W 16 12 0 204060100120140160 Figure 1. Power Derating T, TEMPERATURE (°C) 80 4.0 8.0 1.6 1.2 0 0.4 0.8 T A T C P D , POWER DISSIPATION (WATTS) P D , POWER DISSIPATION (WATTS) Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value. ON Semiconductor
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 March, 2001 – Rev. 2 1Publication Order Number: BD791/D BD791 ON Semiconductor Preferred Device 4 AMPERE POWER TRANSISTOR SILICON 100 VOLTS 15 WATTS CASE 77–09 TO–225AA TYPE

Specifications