BP104S datasheet pdf

Semiconductor Group11997-11-19 Wesentliche Merkmale lSpeziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm lKurze Schaltzeit (typ. 20 ns) lgeeignet für Vapor-Phase Löten und IR- Reflow-Löten lSMT-fähig Anwendungen lLichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb lIR-Fernsteuerungen lIndustrieelektronik l“Messen/Steuern/Regeln” Features lEspecially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm lShort switching time (typ. 20 ns) lSuitable for vapor-phase and IR-reflow soldering lSuitable for SMT Applications lPhotointerrupters lIR remote controls lIndustrial electronics lFor control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code BP 104 SQ62702-P1605 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode BP 104 S Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. 4.5 4.3 4.0 3.7 1.51.70.90.7 Photosensitive areaCathode lead GEO06861 0.3 6.7 6.2 1.21.1 Chip position 0...5 ̊ 0.20.1 1.1 0.9 2.20 mm x 2.20 mm 1.6 0...0.1 ±0.2 feo06862

Features

• 4.5
• 4.3
• 4.0
• 3.7
• 1.51.70.90.7
• 0.3
• 6.7
• 6.2
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• 0.20.1
• 1.1
• 0.9
• 2.20 mm x 2.20 mm
• 1.6
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