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BPX 65 BPX 66 Semiconductor Group342 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Wesentliche Merkmale lSpeziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm lBPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit lBPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA) lHermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 o C 1) Anwendungen lschneller optischer Empfänger mit groβer Modulationsbandbreite Features lEspecially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm lBPX 65: high photosensitivity lBPX 66: low reverse current (typ. 150 pA) lHermetically sealed metal package (TO-18), suitable up to 125 o C 1) Applications lFast optical sensor of high modulation bandwidth BPX 65 BPX 66 1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen beiT A > 85 o C 1) For operating conditions ofT A > 85 o C please contact us. Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package BPX 65Q62702-P2718 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster ( 2 /10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse- boden 18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically sealed package, solder tabs 2.54 mm ( 2 /10”) lead spacing, anode marking: projection at package bot- tom BPX 66Q62702-P80 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. 10.95