BC328 (2) datasheet pdf

BC327 ... BC328 BC327 ... BC328 General Purpose PNP Transistors Universal-PNP-Transistoren I C = 800 mA h FE ~ 160/250/400 T jmax = 150°C V CEO = 25 ... 45 V P tot = 625 mW Version 2017-02-16 TO-92 (10D3) (1) (2) Dimensions - Maße [mm] Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1 ) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1 ) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1 ) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 ) Mechanical Data 1 )Mechanische Daten 1 ) (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix “BK”) 4000 5000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schüttgut (Raster 1.27, Suffix “BK”) Weight approx.0.18 gGewicht ca. Case materialUL 94V-0Gehäusematerial Solder & assembly conditions260°C/10sLöt- und Einbaubedingungen MSL N/A Current gain groups Stromverstärkungsgruppen Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40 BC337 ... BC338 Maximum ratings 2 )Grenzwerte 2 ) BC327BC328 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-SpannungE-B short- V CES 50 V30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-SpannungB open- V CEO 45 V25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-SpannungC open- V EBO 5 V Power dissipation – VerlustleistungP tot 625 mW 3 ) Collector current – Kollektorstrom (dc)- I C 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom- I CM 1 A Base current – Basisstrom- I B 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur T j T S -55...+150°C -55...+150°C 1Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2T A = 25°C, unless otherwise specified – T A = 25°C, wenn nicht anders angegeben 3Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AGhttp://www.diotec.com/1 Pb E L V W E E E R o H S 1 6 1 8 9 2 x 2.54 C BE 2 x 1.27 C BE 4.6 ±0.1 4 . 6 ± 0 . 1 m i n

Features

• -55...+150°C
• -55...+150°C
• 4.6