BC338 (2) datasheet pdf

BC337 / BC338 BC337 / BC338 NPN General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz NPN Version 2006-05-30 Dimensions - Maße [mm] Power dissipation Verlustleistung 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. – Gewicht ca.0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (T A = 25°C)Grenzwerte (T A = 25°C) BC337BC338 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B shortV CES 50 V30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B openV CEO 45 V25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-SpannungC openV EBO 5 V Power dissipation – VerlustleistungP tot 625 mW 1 ) Collector current – Kollektorstrom (dc)I C 800 mA Peak Collector current – Kollektor-SpitzenstromI CM 1 A Base current – BasisstromI B 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur T j T S -55...+150°C -55...+150°C Characteristics (T j = 25°C)Kennwerte (T j = 25°C) Min.Typ.Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2 ) V CE = 1 V, I C = 100 mAGroup -16 Group -25 Group -40 h FE h FE h FE 100 160 250 160 250 400 250 400 630 V CE = 1 V, I C = 300 mAGroup -16 Group -25 Group -40 h FE h FE h FE 60 100 170 130 200 320 – – – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2 ) I C = 500 mA, I B = 50 mA V CEsat ––0.7 V 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 Tested with pulses t p = 300 μs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t p = 300 μs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AGhttp://www.diotec.com/ 1 16 18 9 2 x 2.54 C BE

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