BC859C (1) datasheet pdf

BC856 ... BC860 BC856 ... BC860 SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren I C = -100 mA h FE ~ 180/290/520 T jmax = 150°C V CEO = -30...-65 V P tot = 250 mW Version 2018-10-11 SOT-23 (TO-236) 1 = B 2 = E 3 = C Dimensions - Maße [mm] Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1 ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1 ) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1 ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1 ) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1 ) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 ) Mechanical Data 1 )Mechanische Daten 1 ) Taped and reeled3000 / 7“Gegurtet auf Rolle Weight approx.0.01 gGewicht ca. Case materialUL 94V-0Gehäusematerial Solder & assembly conditions260°C/10sLöt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code Recomm. complementary NPN transistors Empf. komplementäre NPN-Transistoren BC856A/-Q3A BC856B/-AQ3B BC856C/-AQ3C BC857A/-AQ3E BC857B/-Q/-AQ3F BC857C/-AQ3G BC860B3F BC860C3G/4G BC858A/-AQ3E BC858B/-AQ3F BC858C/-AQ3G BC859A/-AQ3E BC859B/-AQ3F BC859C/-AQ3G/4G BC846 ... BC850 Maximum ratings 2 )Grenzwerte 2 ) BC856 BC857 BC860 BC858 BC859 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-SpannungB open- V CEO 65 V45 V30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-SpannungE open- V CBO 80 V50 V30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-SpannungC open- V EBO 5 V Power dissipation – VerlustleistungP tot 250 mW 3 ) Collector current – KollektorstromDC- I C 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom- I CM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur T j T S -55...+150°C -55...+150°C 1Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2T A = 25°C unless otherwise specified – T A = 25°C wenn nicht anders angegeben 3Mounted on P.C. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm 2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AGhttp://www.diotec.com/1 Pb E L V W E E E R o H S 2 . 4 1 . 3 ± 0 . 1 1.1 +0.1 0.4 +0.1 2.9 ±0.1 12 3 Type Code 1.9 ±0.1 -0.05 -0.2 ± 0 . 2

Features

• -55...+150°C
• -55...+150°C
• 1.1
• 0.4
• 2.9
• 1.9
• -0.05
• -0.2